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堆栈式和背照式的cmos区别，堆栈式cmos优缺点

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背照式CMOS（Back-illuminated CMOS或Back Side illumination CMOS，通常缩写为BSI CMOS）是传统前照式CMOS的进化和发展。

在传统前照式CMOS中（Front-illuminated CMOS或Front Side illumination CMOS，通常缩写为FSI CMOS），传感器自上至下依次为微透镜、滤光片、电路层，然后才是光电二极管。光电二极管需要和电路部分争抢CMOS有效面积，且对光线入射角度会有较高要求。传感器边缘像素接受光线较少时，就有可能出现“红移”情况（参考ILCE-7/7M2等早期产品转接老一些的旁轴广角/超广角镜头）。而背照式传感器掉转了光电二极管与电路层的位置，光线会首先到达光电二极管（也就是让光线从电路板背部进入）。

盘点 | 使用背照式CMOS的可换镜头相机

▲ 前照式结构（左）与背照式结构（右）

和传统前照式CMOS相比，背照式CMOS的优点包括：

– 增加传感器的有效面积，改善高感画质（特别是小尺寸传感器）；

– 增加光电二极管的受光角度，改善边缘画质、避免“红移”问题；

– 有助于扩大电路层规模，实现“双原生ISO”等特性。

最后，背照式还是堆叠式的先决条件，即堆叠式CMOS是更高级的背照式CMOS。

在此文章的先前版本中，ET有提到背照式CMOS有利于实现更高速的数据传输，达成高速对焦、高速连拍和高规格视频拍摄。但从目前产品来看，前照式/背照式并非决定传感器速度的关键 —— 佳能新一批前照式CMOS甚至比索尼一些背照式CMOS的速度还要快。另外，随着索尼在“双层晶体管”技术新闻稿中将Stacked翻译为“堆叠式”，ET也会在后续内容里逐步替换掉“堆栈式”这个词不达意的说法。

盘点 | 使用背照式CMOS的可换镜头相机

三星、Aptina都曾生产过用于可换镜头相机的背照式CMOS，但目前相关产品早已退出市场。目前，除佳能自研并用于EOS R3上的背照堆叠式CMOS外，其他相机使用的大尺寸背照式CMOS几乎全部来自索尼。

盘点 | 使用背照式CMOS的可换镜头相机

53.4×40 约1.5亿像素 背照式：

飞思IQ4 150系列

44×33 约1亿像素 背照式：

富士GFX100/GFX100S，哈苏X2D 100C

全画幅 约6000万像素 背照式 ：

索尼7RM4(A)、7RM5，徕卡M11，适马fp L（以及徕卡Q3）

全画幅 约5000万像素 背照堆叠式：

索尼A1

全画幅 约4500万像素 背照堆叠式：

尼康Z 8/Z 9

全画幅 约4500万像素 背照式：

尼康D850、Z 7/Z7 II

全画幅 约4200万像素 背照式：

索尼7RM2、7RM3(A)

全画幅 约3300万像素 背照式：

索尼7M4

全画幅 约2400万像素 背照堆叠式：

佳能R3，索尼A9 / 9M2

全画幅 约2400万像素 背照式：

尼康D780、Z 6/Z6 II，索尼7C、7M3，松下S5 / S5M2 / S5M2X、S1 / S1H，适马fp、徕卡SL2-S

全画幅 约1200万像素 背照式：

索尼ZV-E1 / 7SM3（及FX3 / FX6）

APS-C 约2600万像素 背照式：

富士X-E4、X-T30系列、X-S10 / X-S20、X-T3、X-T4、X-Pro3，理光PENTAX K-3 III系列（及索尼FX30）

* 目前没有关于富士X-H2S（APS-C 约2600万像素 堆叠背照式）和X-H2（APS-C 约4000万像素 背照式）传感器制造商的直接证据，但大概率还是索尼生产。

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