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三星紧追台积电，计划2025年在移动终端领域量产2纳米芯片

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6月28日，全球芯片代工“二哥”三星电子在美国举办“2023三星晶圆代工论坛”，公布了其AI时代下最新晶圆代工业务进展和技术路线图。

“我们相信，基于GAA的先进制程技术，将为客户在人工智能应用方面的需求提供强大支持。”三星电子总裁兼晶圆代工业务负责人崔时荣称，客户正在积极开发AI专用芯片，三星电子将通过优化人工智能芯片的GAA技术，引领人工智能技术模式的变化。

GAA即全环绕栅极（Gate All Around），用来取代此前先进制程上长期采用的FinFET（鳍式场效应晶体管）。GAA被称为新一代半导体的核心制程技术，能够提升数据处理速度、电力效率和晶体管性能。IBM曾在2021年宣布成功研制出全球首款2纳米芯片，该款芯片已率先采用GAA技术，但其并未改变此后芯片制造领域的竞争格局。台积电则计划在2025年量产的2纳米工艺中应用GAA技术。

在GAA技术进展上，三星电子去年6月宣布实现基于GAA技术的3纳米工艺半导体产品量产，并称将于2025年起量产基于GAA技术的2纳米工艺半导体。此次晶圆代工论坛上，三星提出2纳米工艺具体量产时间表，即自2025年起首先于移动终端量产该工艺，随后在2026年将2纳米工艺适用于高性能计算（HPC）产品，并于2027年扩至车用芯片。

先进工艺外，三星还透露了第三代半导体和通讯器件的业务及进展。自2025年起，三星将为消费、数据中心和汽车应用提供8英寸GaN（氮化镓）功率半导体代工服务。此外，基于5纳米工艺的RF（射频）产品处于开发阶段，预计2025年上半年开发完成，目标是保持6G的技术先进性。相较此前的14纳米工艺，5纳米RF工艺功效提高40%，面积减少50%，目前量产中的8纳米和14纳米RF将扩展到移动、汽车等市场。

产能方面，三星计划于韩国量产应用于移动领域的晶圆代工产品，并更多集中在平泽P3工厂；位于美国泰勒的新晶圆厂预计于今年底前竣工，2024年下半年内投产。同时，三星计划在2030年后将韩国的生产基地扩展到龙仁，以支持下一代晶圆代工服务。通过以上措施，其预计在2027年将半导体生产能力提升至2021年的7.3倍。

值得注意的是，三星还大幅加码先进芯片封装技术，宣布成立先进封装协商机制“MDI（Multi Die Integration）同盟”。据三星介绍，该同盟将构建基于2.5D、3D异构集成小芯片封装技术生态系统，与合作伙伴一起提供一站式封装测试服务，满足HPC和车用芯片定制化需求。三星称，正与10个封测合作伙伴共同开发2.5D/3D封装设计解决方案。

在芯片代工市场，三星正加紧追赶台积电，并防范来自英特尔的挑战。受宏观经济“逆风”、消费电子疲软等因素影响，全球半导体行业自2022年开始转入下行周期，但随着人工智能热潮推动，对于先进芯片的需求仍然有望保持增长。

三星是全球第二大晶圆代工厂商。2023年第一季度，三星电子营收63.75万亿韩元（约合486.86亿美元），同比减少18.04%。其中，除存储芯片外的其他半导体业务营收为4.81万亿韩元（约合36.72亿美元），较2022年同期下滑29.05%。台积电该季度实现营收5086.33亿新台币，同比增长3.6%。

行业分析机构集邦咨询数据显示，2023年第一季度，三星在全球晶圆代工市场的占有率为12.4%。台积电稳居第一，份额高达60.1%；联电、格芯、中芯国际分别以6.6%、6.4%和5.3%的占有率位居第三至第五。

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